رویکرد ترمودینامیکی برای پدیده تبخیر و رشد سرامیک SiC. II. سطح SiC در شرایط اکسید کننده

عنوان مقاله:

Thermodynamic approach to the vaporization and growth phenomena of SiC ceramics. II. The SiC surface under oxidative conditions

چکیده مقاله:

شرایط ترمودینامیکی در سطح SiC و تحت فشار اکسیژن از دو دیدگاه مورد بررسی قرار می گیرد: (i) شرایط ایجاد لایه اول سیلیکا و (ii) شرایط برای انتشار کربن. انتقال حالت فعال به حالت پایدار انتقال اکسید کننده غیر فعال با استفاده از تجزیه و تحلیل ترمودینامیکی مطالعه شده است. این آنالیز متمرکز بر پتانسیل شیمیایی سیلیکون و اکسیژن در سطح ترکیب است که به منظور کسب اطمینان از وجود یک سطح SiC تمیز است. به عبارت دیگر، تعادل جریان، به طور همزمان برای تبخیر Si و C منجر به جریان Si/C=1/1 در سطح می گردد. محاسبات ترمودینامیکی حاکی از آن است که پنجره ای در یک جفت وجود دارد که به عنوان تابعی از درجه حرارت و وابسته به یک سطح ساده SiC است. برای چنین شرایط غالب، جریانهای فرسایشی SiC به مانند پدیده تراکم مربوط به SiC که ممکن است انتقال SiC و رسوب فاز بخار را در دمای بالا توضیح دهد، محاسبه میگردد.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

توسط
تومان