طراحی و تجزیه و تحلیل تونل FET برای برنامه های کاربردی با عملکرد بالا درقدرت پایین

عنوان انگلیسی مقاله: Design and Analysis of Tunnel FET for Low Power High Performance Applications

چکیده مقاله:

تونل FET یک دستگاه نویدبخش برای جایگزینی MOSFET دربرنامه های کاربردی در قدرت پایین و عملکرد بالا می­باشد. دراین مقاله، بهترین طراحی های TFET پیشنهادی توسط مقالات مطرح شده است به عنوان مثال: TFETپایه Si حاوی دو دریچه، دستگاه TFET مدل InAs و دستگاه TFET مبتنی برنیمه هادی III-V (GaAs1-xSbx-InAs).شبیه سازی ها با استفاده از ابزار TCAD انجام می شود و نتایج شبیه سازی نشان می دهد که شبیه سازی با دستگاه معمول DGTFET در مقایسه با شبیه سازي با دستگاه TFET مبتنی بر نیمه هادیInAs و III-V جریان کمتر بوده و شیب زیرآستانه پایین می آید. دستگاه TFET مبتنی بر InAs، شدت شیب زیر آستانه ای از ۶۱ mV/dec و جریان خاموش از مقیاس نانو آمپر در عملیات زیر ۱V را فراهم می کند، بدین وسیله این کار را به عنوان یک انتخاب ایده آل برای کاربردهای با قدرت پایین و کارایی بالا فراهم می کند. تغییرات در عملکرد دستگاهIII-V HTFET و همچنین تغییرات در کسر مولی در جزئیات مورد مطالعه قرار گرفته است. با دقت انتخاب کسرمولی در دستگاهHTFET مبتنی بر نیمه هادیIII-V  می تواند به عملکرد بهتر دستگاه منجر شود.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

توسط
تومان